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台积电2nm芯片技术泄密案审理中，主嫌或面临14年重刑

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台积电2nm芯片技术泄密案审理中，主嫌或面临14年重刑

近期，《日经亚洲》报道了一起涉及台积电2nm芯片技术的重大泄密案件。据报道，三名涉案人员已被检方提起诉讼，他们分别面临14年、9年和7年的有期徒刑判决请求。目前，该案件正处于紧张的审理阶段。

案件的核心人物是一名陈姓男子，他曾是台积电的一名工程师，对公司的保密制度及与供应商的保密协议了如指掌。离职后，他加入了日本的半导体设备巨头TEL公司。利用与旧同事的关系，陈姓男子多次获取了关于2纳米蚀刻站的关键文件和数据。他不仅拍摄并复制了这些资料，还将其用于帮助TEL公司提升设备性能。

据检方透露，被陈姓男子联系的台积电员工中，包括吴某、戈某和廖某，他们在工作中能够接触到这些高度机密的集成电路制造工艺信息。检方指出，涉及的机密文件共有12页，内容极其敏感。

在对此案的处理上，检方对主要嫌疑人陈姓男子提出了14年有期徒刑的判决请求，对吴某提出了9年有期徒刑的请求，对戈某则提出了7年有期徒刑的请求。然而，另一涉案人员廖某并未被起诉。台积电方面已将案件移送检方，并再次表明了其零容忍的立场，表示将依法追究到底。

（来源：小熊科技）
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