外媒：存储大厂正在加速3D DRAM商业化
据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半
据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。
三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。
考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。
与现有的DRAM市场不同，3D DRAM市场上目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。随着ChatGPT等人工智能（AI）应用产品的活跃，市场对高性能、大容量存储半导体的需求将会增加。
封面图片来源：拍信网
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