近期，英飞凌与安克创新、盛弘电气两大厂商达成合作。其中，英飞凌将为盛弘电气提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件、EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动
近期，英飞凌与安克创新、盛弘电气两大厂商达成合作。其中，英飞凌将为盛弘电气提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件、EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC等产品。
同时，英飞凌还宣布与安克创新（Anker Innovations）在深圳联合成立创新应用中心。该应用中心已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。
该中心将基于英飞凌新一代混合反激式（HFB）控制器产品系列和用于100 W以上快充充电器的CoolGaN IPS产品系列进行开发，为市场提供更高功率密度与高能效的PD快充解决方案。
SiC与GaN功率器件市场规模在未来数年都将保持较高增速，据TrendForce集邦咨询数据，2022年全球SiC功率器件市场规模约16.1亿美元，至2026年可达到53.3亿美元，CAGR达35%；全球GaN功率器件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，CAGR高达65%。
封面图片来源：拍信网
来源：全球半导体观察
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