后续的 AI6 芯片由三星电子晶圆代工业务在美国得州泰勒市晶圆厂以 2nm 工艺制造，配备 LPDDR6 内存，以类似的面积 (400+mm²)实现性能翻倍。 IT之家注意到，AI5 芯片两侧封装的内存颗粒…
特斯拉CEO埃隆·马斯克在宣布AI5芯片成功流片后，进一步披露了公司自研芯片的迭代规划。这款新一代芯片的有效算力较双芯AI4方案提升五倍，标志着特斯拉在人工智能硬件领域迈出关键一步。
根据技术路线图，AI6芯片将采用三星电子位于得克萨斯州泰勒市的晶圆厂生产的2nm制程工艺，在保持400平方毫米以上芯片面积的前提下实现性能翻倍。该芯片将首次配备LPDDR6内存，其内存架构设计较前代有明显优化。更值得关注的是，AI6.5芯片已确定由台积电美国亚利桑那州工厂代工，同样采用2nm工艺但通过架构革新带来额外性能提升。
在内存配置方面，行业观察者注意到AI5芯片两侧封装的内存颗粒呈现显著长宽差异，这种设计特征与GDDR系列内存不符，推测可能采用LPDDR5X规格。这种选择与后续AI6升级至LPDDR6的路径形成技术连贯性，显示出特斯拉在存储子系统设计上的战略考量。
芯片架构创新方面，AI6和AI6.5将把约50%的TRIP AI计算加速器与SRAM缓存进行深度整合。这种异构集成设计通过缩短数据传输路径，可显著提升内存带宽利用率，为自动驾驶等实时计算场景提供更高效的硬件支持。技术文档显示，这种设计在保持芯片物理尺寸稳定的同时，实现了计算密度和能效比的双重优化。
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