存储器大厂三星分享 V-NAND（即 3D NAND）发展计划，证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，这将是业界最高层数。三星总裁暨存储器事业部负责人Jung-bae Lee 在博客中写
存储器大厂三星分享 V-NAND（即 3D NAND）发展计划，证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，这将是业界最高层数。
三星总裁暨存储器事业部负责人Jung-bae Lee 在博客中写道，第九代V-NAND基于双层结构，层数将达到业界最高水平，将于明年初量产。
三星正开发超过300 层的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次采用的双层堆叠技术。三星不仅证实非挥发性存储器已步入正轨，其层数有望超过竞争对手。
Jung-Bae Lee 指出，三星还在研究下一代具价值的技术，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 （I/O） 速度的新结构。
虽然还不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何，但根据外媒报道，三星在即将推出的 SSD 中使用这种闪存。届时，就能看到三星采用 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列后续产品。
报道指出，三星现在致力于大幅减少单元干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数，以实现业内最小单元尺寸。这些创新有助于推动三星实现创建1,000层以上3D NAND和闪存解决方案，确保产品适用于数据中心、PC等应用。
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