IT之家 8 月 21 日消息,据韩媒 SEDaily 昨天报道,据半导体业界消息,三星上月提供给英伟达的 HBM4样品已通过初期测试和质量测试,将在本月底进入“预生产”阶段。 SEDaily 认为,如果三…
近日,半导体行业传来消息,三星电子向英伟达提供的HBM4内存样品已经成功通过了初期测试与质量验证,标志着该系列芯片即将迈入预生产阶段。这一进展预示着三星即将在高端内存市场上迈出重要一步。
据业内人士透露,“预生产”(PP,即Pre-Production)是半导体芯片进入大规模量产前的最后一道关卡。在这一阶段,HBM4芯片将接受与客户GPU产品的兼容性测试,以及在不同温度条件下的性能与质量稳定性考验。这些测试旨在确保芯片在实际应用中能够满足高标准的质量要求。

据韩国媒体SEDaily报道,这批HBM4芯片预计将应用于英伟达下一代AI加速器“Rubin”中。目前,英伟达HBM芯片的独家供应商为SK海力士。SK海力士在今年3月已向英伟达提供了HBM4样品,并于6月初开始初期量产,计划在10月全面扩大生产规模。
三星若能顺利通过预生产阶段,其HBM4芯片有望在11月正式投入量产。这将极大地缩短三星与SK海力士在高端内存市场的差距,为三星在AI存储芯片领域占据更多市场份额奠定基础。

业内人士还预测,三星的HBM3E 12层产品也有望在本月底通过英伟达的质量测试,并正式开始供货。这一连串的进展不仅提升了三星在高端内存市场的竞争力,也为英伟达在与SK海力士的供货量和芯片价格谈判中增添了筹码。
SEDaily指出,若三星能够顺利向英伟达供应HBM4和HBM3E芯片,明年的AI存储芯片市场或将迎来重大变革。金融投资界普遍认为,三星明年的HBM销售额有望实现倍数级增长。然而,当SEDaily就此事向三星求证时,三星方面表示:“涉及客户的相关信息,我们无法确认。”
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