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三星Galaxy S26 Ultra将搭载超10Gbps LPDDR5X闪存

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爆料人士PhoneArt称三星即将推出的旗舰机型Galaxy S26 Ultra在内存配置上将迎来升级。

他透露，该机型将搭载美光最新的LPDDR5X内存，数据传输速率可达到10.7Gbps，高于上一代Galaxy S25 Ultra的9.6Gbps。

这也是突破10Gbps传输速率的LPDDR5X内存搭载于移动端消费级产品，代表着该速率的内存正式从厂商的实验室迈入实际商用场景。

据悉，此次速度提升得益于美光全新的1γ（1-gamma）DRAM架构。相比上一代1β（1-beta）架构，1γ在功耗效率和多任务处理性能上都有明显优化。

这一改进预计将在高负载应用、大型游戏以及需要高内存带宽的场景中带来更快的响应速度，同时有望降低功耗、延长续航时间。

除内存升级外，Galaxy S26 Ultra预计将搭载高通骁龙8Elite2处理器。

业内分析认为，高带宽内存与新一代处理器的组合，将提升设备在AI和重压力场景方面的表现。据此前的爆料，Galaxy S2 6Ultra在影像系统方面将回归机械可变光圈，潜望式和超广角镜头都大幅提升了像素，同时还新增了激光对焦传感器，并正在测试高规格的视频录制功能。

（来源：手机之家）
三星Galaxy S26 Ultra LPDDR5X闪存
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