晶合集成5000万像素BSI量产
继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后，晶合集成CIS再添新产品。近期，晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）迎来批量量产，极大赋能智能手机的
继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后，晶合集成CIS再添新产品。
近期，晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）迎来批量量产，极大赋能智能手机的不同应用场景,实现由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长，出货量占比将显著提升, 成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。
近年来，5000万像素CIS已在智能手机配置上加速渗透。晶合集成与国内设计公司合作，基于自主研发的55纳米工艺平台，使用背照式工艺技术复合式金属栅栏，不仅提升了产品进光量，还兼具高动态范围、超低噪声、PDAF相位检测对焦等优势。
此外，该技术采用单芯片技术架构，既减少芯片用量，也缩短了芯片生产周期，同时将像素规格微缩20%，像素尺寸达到0.702μm，整体像素提高至5000万水准，将广泛应用在智能手机主摄、辅摄及前摄镜头等。
（来源：114IC电子）
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